目前對TSV填充的研究主要集中在條件優化和填充機理上。
為了實現?缺陷的 TSV 填充，電鍍溶液中的特定添加劑，即
氯離?、抑制劑和促進劑進?了深?研究 。與特定添加劑和
通孔結構相對應的佳電沉積參數已被?泛研究。. 在這些參
數中，電流密度對填充形態的影響尤為顯著。盡管特定的添
加劑可以有效地實現?缺陷填充，但所需的步驟很復雜，沉
積速率低，相關成本?。為了克服添加劑輔助填充?法的缺
陷，?泛研究了脈沖電流、脈沖反向電流、周期性脈沖反向
電流和多步電流等電鍍電流波形. 同時，已經引用了?種機制
來解釋?缺陷填充過程，例如傳統的流平模型、對流相關吸
附模型、時間相關傳輸-吸附模型和曲率增強加速器覆蓋模
型。動態 TSV 填充對于 TSV 填充研究的各個?面都很重要。
它是優化條件的基礎，反映了填充模型的機制。然?，現有
的研究只關注在特定時刻獲得的填充結果。很少系統地研究
連續和全面的動態 TSV 填充過程。在這項研究中，我們通過
在不同電流密度下的分階段電沉積實驗證明了 TSV 動態填充
過程。獲得了實現?缺陷填充的佳電流密度。討論了電流
密度對填充模型的影響。此外，鍍層的形態演變表明，局部
沉積速率受鍍層?何特征的影響。

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