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ST意法單片機 |
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主營產品:MCU單片、存儲芯片、晶振、電源管理IC、音頻功放、驅動芯片、接口IC、藍牙芯片、監控芯片、WIFI芯片、網絡通訊芯片、汽車芯片、定位芯片、耦合器。
STM32L151RCT6功能描述:
低功耗的STM32L151xC和STM32L152xC器件集成了通用串行總線(USB)與ARM的連接能力?皮質?-M3 32位RISC內核,工作頻率為32 MHz (33.3 DMIPS),內存保護單元(MPU),高速嵌入式存儲器(閃存高達256千字節,RAM高達32千字節),以及連接到兩條APB總線的大量增強I/o和外設。
STM32L151xC和STM32L152xC器件提供兩個運算放大器、一個12位ADC、兩個DAC、兩個低功耗比較器、一個通用32位定時器、六個通用16位定時器和兩個基本定時器,可用作時基。
此外,STM32L151xC和STM32L152xC器件包含標準和通信接口:多兩個I2C、三個SPI、兩個I2S、三個USARTs和一個USB。STM32L151xC和STM32L152xC器件提供多達23個容性檢測通道,可為任何應用添加觸摸檢測功能。
封裝:LQFP-64
包裝:tape and reel
ST意法單片機其他型號(部分):
STM32F071V8T7
STM32F091VBT7
STM32F098RCH6
STM32F091VCH7
STM32F038K6U6
STM32F042G6U7
STM32F051C4U6
STM32F048C6U6
STM32F042K6U7
STM32F058C8U6
STM32F051R8H6
STM32F058R8H6
STM32F071C8U7
STM32F051R8H7
STM32F058R8H7
ST/意法常用型號備有大量現貨,公司承諾所售產品均為原裝,以信用為基石,誠意合作。
主營產品:MCU單片、存儲芯片、晶振、濾波雙工器、傳感器、射頻IC、電源管理IC、音頻功放、驅動芯片、接口IC、藍牙芯片、監控芯片、WIFI芯片、網絡通訊芯片、汽車芯片、定位芯片、耦合器。
STM32G473xB/xC/xE器件基于Arm? Cortex-M4? 32位RISC內核。它們的工作頻率高達 170 MHz。
Cortex-M4內核具有單精度浮點單元(FPU),支持所有Arm單精度數據處理指令和所有數據類型。它還實現了一整套DSP(數字信號處理)指令和存儲器保護單元(MPU),從而增強了應用的安全性。
這些器件嵌入了高速存儲器(512 KB 閃存和 128 KB SRAM)、用于靜態存儲器的靈活外部存儲器控制器 (FSMC)(適用于具有 100 引腳及更多引腳封裝的設備)、四通道 SPI 閃存接口以及連接到兩條 APB 總線、兩條 AHB 總線和一個 32 位多 AHB 總線矩陣的各種增強型 I/O 和外設。
ST意法單片機MUC型號(部分):
STM32F103ZCT7
STM32F103VEH7
STM32F103ZEH7
STM32F101CBU6
STM32F101RBH6
STM32F103R8H6
STM32F101V8T6
STM32F103R8H7
STM32F103VBI6
STM32F100VDT6
STM32F100VET6
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SCT50N120
碳化硅功率 MOSFET 1200 V、65 A、59 mOhm(典型值 TJ = 150 C),采用 HiP247 封裝
所有功能
導通電阻隨溫度的變化非常小
非常高的工作結溫能力(TJ= 200 °C)
非常快速和堅固的本征體二極管
低電容
ST其他部分單片機型號:
STM32F412ZGT6
STM32L496VGT6
STM32F745VET6
STM32H723ZGI6
STM32L4A6VGT6
STM32L496QGI6
STM32F405RGT7
STM32L4A6QGI6
STM32H725AGI6
STM32F207IEH6ST/意法常用型號備有大量現貨,公司承諾所售產品均為原裝,我們只做原裝,歡迎合作!
STB28N65M2
N溝道650 V、0.15 Ohm典型值、20 A MDmesh M2功率MOSFET,D2PAK封裝
這些器件是采用 MDmesh? M2 技術開發的 N 溝道功率 MOSFET。由于其帶狀布局和改進的垂直結構,這些器件具有低導通電阻和優化的開關特性,使其適用于要求苛刻的率轉換器。
極低的柵極電荷
出色的輸出電容 (C開放源碼軟件) 簡介
雪崩測試
齊納保護
ST意法其他部分單片機型號:
STM32F429IEH6
STM32L4R5AGI6
STM32F405ZGT7
STM32F746VGH6
STM32L4R9VGT6
STM32F765VGH6
STM32F429NEH6
STM32F429BET6
STM32F417ZGT6
STM32F429AGH6
STM32F439VGT6
STM32F746NEH6
STM32F437ZGT6
STM32F413ZHT3
STM32F745IGT6
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STD100N10F7
N溝道100 V、0.0068 Ohm典型值、80 A STripFET F7功率MOSFET,DPAK封裝
該N-溝道功率MOSFET利用STripFET?F7技術和增強型溝槽柵極結構,可降低通態電阻,同時降低內部電容和柵極電荷,從而使開關速度更快、能效更高。
處于市面上低的 RDS(on) 行列
出色的品質因數(FoM)
較低的Crss/Ciss 比值使得其具有更強的抗EMI能力
堅固的抗雪崩能力
STD100N3LF3:
N溝道30 V、0.0045 Ohm典型值、80 A STripFET(TM) II功率MOSFET,DPAK封裝
ST意法其他部分MCU單片機型號:
STM32G431C6T6
STM32F302RBT6
STM32L072CZT6
STM32F334K8U6
STM32L433CBT6
STM32G441KBT6
STM32L451CCU6
STM32G431CBU3
STM32F373CBT6
STM32G0C1RET6
STM32F373RBT6
STM32L433CCU3
STM32G473CBU6
STM32L443RCT6
STM32L451CCU3
STM32L452RCT6
STM32L433CCT3
STM32G0B1VET6
STM32L433VCT6
STM32L552CCU6
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STD12N60DM2AG
汽車級N溝道600 V、0.370 Ohm典型值、10 A MDmesh DM2功率MOSFET,DPAK封裝
STD12NF06LT4
N 溝道 60 V、典型值 70 mOh、12 A、條形場效應晶體管 II 功率 MOSFET,采用 DPAK 封裝,該功率MOSFET系列采用意法半導體特的STripFET?工藝開發,該工藝設計用于小化輸入電容和柵極電荷。這使得該器件適合用作電信和計算機應用以及具有低柵極電荷驅動要求的應用的隔離式DC-DC轉換器的主開關。
ST意法其他部分單片機型號:
STM32L552CET6
STM32F303VCT7
STM32L562CEU6
STM32F411VEH6
STM32L452VET6
STM32L152RET6
STM32L552RET6
STM32L452RET3
STM32L562RET6
STM32G473RET6
STM32L475VET6
STM32G483RET6
STM32F302ZDT6
STM32G474CET3
STM32F732RET6
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————— 認證資質 —————
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