半導(dǎo)體晶圓切割用劃片刀頭在切割時，線速度是一個非常重要的參數(shù)，可以直接影響到切割效率和切割質(zhì)量。 以下是關(guān)于金剛石刀頭切割過程中線速度的介紹： 線速度是指切割線每分鐘旋轉(zhuǎn)的圈數(shù)，單位為m/min。 線速度過快，金剛石顆粒就會被削短，使刀頭變鈍，而且金剛石顆粒很容易掉落，影響切割質(zhì)量。 線速度過慢，刀頭會過度磨損，切割效率低下。 金剛石刀頭切割時，應(yīng)根據(jù)不同的材料選擇合適的線速度。

刀刃部分采用精密電鑄工藝制備而成，刀刃厚度范圍：10μm~100μm，微粉粒徑范圍：1500#~5000#。

擁有6檔磨粒集中度等級，適用晶圓種類范圍更廣；具有出色的通用性，能夠適應(yīng)各種復(fù)雜場景的劃切需求，包括切割道內(nèi)含有金屬、 Pl/PO等各類工況；在切割水含有CO2的環(huán)境中，表現(xiàn)出的耐腐蝕性能；在劃切超厚晶圓時（如晶圓級封裝芯片），槽型可穩(wěn)定保持垂直狀態(tài)。

公司銷售各類電子材料 輕氟油 重氟油 經(jīng)營品牌:北京漢高 北京灌封膠 北京導(dǎo)熱膠 天津漢高 天津漢新 天津灌封膠 石家莊灌封膠 石家莊導(dǎo)熱硅膠 北京道康寧 北京lord 北京道康寧184 北京漢高5295B 灌封膠5295B 3M屏蔽膠帶 3M防護(hù)用品 3M口罩 3M耳塞 漢高電子膠 洛德EP-937 洛德SC-305 SC-309 SC-320 導(dǎo)電銀膠: ABLEBOND 84-1A 84-1LMI ?84-1LMINB(B1) ?84-1LMISR4 84-1LMIT(T1) ?826-1DS 826-2 2600AT 2600BT 2185A 2030SC 2100A 3185 8290 8340 8360適用于半導(dǎo)體

因為硅材料的脆性，機(jī)械切割方式會對晶圓的正面和背面產(chǎn)生機(jī)械應(yīng)力，結(jié)果在芯片的邊緣產(chǎn)生正面崩角（FSC- Front Side Chipping）及背面崩角（BSC – Back Side Chipping）。
正面崩角和背面崩角會降低芯片的機(jī)械強度，初始的芯片邊緣裂隙在后續(xù)的封裝工藝中或在產(chǎn)品的使用中會進(jìn)一步擴(kuò)散，從而可能引起芯片斷裂，導(dǎo)致電性失效。另外，如果崩角進(jìn)入了用于保護(hù)芯片內(nèi)部電路、防止劃片損傷的密封環(huán)（Seal Ring）內(nèi)部時，芯片的電氣性能和可靠性都會受到影響。　
封裝工藝設(shè)計規(guī)則限定崩角不能進(jìn)入芯片邊緣的密封圈。

北京汐源科技有限公司
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通常在切割前會在晶圓背部貼上UV膜或藍(lán)膜，之后將貼有UV膜的晶圓放入劃片機(jī)中，設(shè)置好程序開始劃片，劃片結(jié)束后拿出晶圓，進(jìn)行解UV等工序。藍(lán)膜成本較低，但是需要通過機(jī)械手段+溫度輔助才能將芯片剝離；而UV膜粘性可以通過紫外線照射來改變。在劃片完成后，晶圓被暴露在紫外光下，這使得膜的粘性降低，從而容易地剝離芯片。
崩邊

正崩主要發(fā)生在晶圓的切割面（正面），背崩是指晶圓背面的崩邊。不管正崩與背崩，在晶圓劃片時都是不被允許的。崩邊產(chǎn)生的原因有：

1，不恰當(dāng)?shù)那懈顓?shù)導(dǎo)致崩邊

2，刀片磨損嚴(yán)重，鈍化的刀片邊緣增加了切割過程中的不規(guī)則作用力，從而增加了崩邊的可能性

3，刀片中的金剛石等磨料顆粒在切割過程中與晶圓表面材料發(fā)生撞擊，導(dǎo)致崩邊
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顆粒越大，刀片壽命越長；顆粒越小，刀片壽命越短。 顆粒集中度的影響 顆粒集中度對劃片質(zhì)量也非常關(guān)鍵。 關(guān)于相同的金剛石顆粒大小會消費出不同集中度的刀片，劃片效果也會有很大差別。 目前，劃片刀常見有5種規(guī)格，分別是：50、70、90、110、130。 依據(jù)實踐測試得出，高集中度的金剛石顆粒，劃片阻力小，劃片速度快，，還能夠延長劃片刀的壽命，減少晶圓正面崩缺