MOSFET中用內部二極管，保護器件免受因連接的電感性負載,產生的反向EMF尖峰的影響。當電感負載與MOSFET漏極接通時,電能立即存儲在負載內部，并且在下一個瞬間隨著關閉,該存儲的EMF從MOSFET源極到漏極,從而導致MOSFET性損壞。在器件的漏源極間存在一個內部二極管，通過允許反電動勢尖峰穿過二極管來阻止MOSFET被損壞，保護MOSFET。

功率MOS場效應晶體管，即MOSFET，其原意是：MOS（Metal Oxide Semiconductor金屬氧化物半導體），FET（Field Effect Transistor場效應晶體管），即以金屬層（M）的柵極隔著氧化層（O）利用電場的效應來控制半導體（S）的場效應晶體管。

功率MOS場效應晶體管也分為結型和絕緣柵型，但通常主要指絕緣柵型中的MOS型（Metal Oxide Semiconductor FET），簡稱功率MOSFET（Power MOSFET）。結型功率場效應晶體管一般稱作靜電感應晶體管（Static Induction Transistor——SIT）。其特點是用柵極電壓來控制漏極電流，驅動電路簡單，需要的驅動功率小，開關速度快，工作頻率高，熱穩定性優于GTR，但其電流容量小，耐壓低，一般只適用于功率不超過10kW的電力電子裝置。

功率MOS場效應晶體管的種類：按導電溝道可分為P溝道和N溝道。按柵極電壓幅值可分為；耗盡型；當柵極電壓為零時漏源極之間就存在導電溝道，增強型；對于N（P）溝道器件，柵極電壓大于（小于）零時才存在導電溝道，功率MOSFET主要是N溝道增強型。

MOSFET結構中所附帶的本征二極管具有一定的雪崩能力。通常用單次雪崩能力和重復雪崩能力來表達。當反向di/dt很大時，二極管會承受一個速度非?？斓拿}沖尖刺，它有可能進入雪崩區，一旦其雪崩能力就有可能將器件損壞。作為任一種PN結二極管來說，仔細研究其動態特性是相當復雜的。它們和我們一般理解PN結正向時導通反向時阻斷的簡單概念很不相同。當電流迅速下降時，二極管有一階段失去反向阻斷能力，即所謂反向恢復時間。PN結要求迅速導通時，也會有一段時間并不顯示很低的電阻。在功率MOSFET中一旦二極管有正向注入，所注入的少數載流子也會增加作為多子器件的MOSFET的復雜性。
在硅基MOSFET中，GATE端子通常由特定的SiO2層絕緣。 導電通道的電荷載流子產生相反的電荷，在這種情況下，n通道為e型p型襯底，p通道為n型襯底“空穴”。 這將通過在GATE端子上施加電壓在硅絕緣體邊緣的半導體中感應到。 e-將進入和離開n +源極和漏極端子的通道，此通道為n通道金屬氧化物半導體場效應晶體管。 在p型金屬氧化物半導體場效應晶體管期間，這將是p +觸點。