充分發揮 Gemini 2 型光學系統的性能優勢
GeminiSEM 460 的 特 殊 之 處 在 于 配 備 的 Gemini 2 型光學系統主要運用了雙聚光鏡， 在獲得理想的小電子束斑同時可連續調節束 流。這使高電子束能量密度下的低束流高分 辨率成像和高束流分析得到了。此外， 您也可以在不同的成像模式之間進行無縫切 換或更改成像參數。此操作簡便快速，因為 在更改成像參數后無需進行校準，而且經調 校的掃描電鏡可以保持穩定地工作。

Nano-twin 物鏡
Nano-twin 物鏡是一種在低加速電壓條件下 工作的電鏡( EM ) 物鏡。通過優化幾何結 構和靜電場及磁場分布， 獲得出色的信號 探測效率， 從而可以在低電壓下達到亞納 米級分辨率。具體來說， 與標準的 Gemini 物鏡相比，它在低電壓下的像差降低了 3 倍。這使得樣品上的磁場降低了 3 倍， 約 為 1mT ，并能夠進行 1kV 以下亞納米成像， 而無需將樣品浸沒在電磁場中。

分辨率模式
在高分辨率電子槍模式下， 電子束色差降低， 從而實現更小的束斑。
在樣品臺減速技術模式下， 為樣品施加減 速電壓。該減速電壓可進一步提高 1 kV 以 下的圖像分辨率并增強背散射探測器的檢 測效率。

全套探測系統： 根據出射能量和出射角選 擇性地探測樣品的電子
GeminiSEM 系列的全套探測系統有大量不同 的探測器可供選配。通過組合 EsB (能量選 擇背散射) 探測器、 Inlens 二次電子探測器 及 AsB (角度選擇背散射) 探測器獲取樣品 材料、表面形貌或結晶度的信息。入射電子 與樣品作用后可產生二次電子( SE ) 和背散 射電子( BSE )。從納米級樣品表面逃逸出的、 能量小于 50 eV 的二次電子可用來表征樣 品的表面形貌。這些二次電子可通過特設 計的電子束推進器向后加速進入鏡筒，并經 Gemini 物鏡投射到環形 Inlens 二次電子探測 器里。 GeminiSEM 可根據樣品的表面條件在 寬角度范圍內探測二次電子。

專為日常檢測和分析應用而設計，蔡司 EVO 擁有的操作 設計理念，無論是經驗豐富的顯微技術人員還是不具備掃描 顯微鏡知識的工程師，均可輕松上手。它能夠提供出色 的數據，特別適合于后續檢測中無法涂覆導電層的非
導電零部件。

成像靈活.光學顯微鏡和共聚焦顯微鏡二合一
■ 實現反射光和透射光的觀察, 同時也可進 行形貌表征;
■ 使用寬場觀察方式實現樣品的定位, 便于 共聚焦顯微鏡進—步原位分析;
■ 無需切換顯微鏡, 減少儀器設置時間, 提 高獲得結果的效率。